CHM-如何實現SKP等距離掃描

在使用微區探針掃描技術時，廣大科研工作者都很關心樣品表面是否平整，以實現探針與樣品表面恆高度掃描。然而，實際樣品表面都會有一定的起伏，其他條件合適時，探針在理想的恆定高度下掃描出的微觀資訊分佈會受到樣品表面起伏的影響，因而無法準確判斷微觀資訊面分布產生的原因。這是樣品本身的差異，還是由樣品表面的起伏波動造成的呢？我們無從得知。

VersaSCAN CHM模式助力SKP等距離掃描

普林斯頓Versa SCAN新版本的軟體中提供一種電容高度測量模式CHM來探知掃面的微觀區域探針與樣品之間的距離。CHM全稱為Capacitive Height Measurement，這是一種非接觸式，無損的測量方式，是基於探針|空氣|樣品之間的電容資訊來獲取高度距離資訊的技術。SKP的測量可以基於CHM獲得的樣品表面的高度形貌資訊，從而在SKP掃描過程中來保持探針-樣品的相對距離保持不變。

‘CHM-SKP’ 這對組合能更為精準地測量表面功函差。系統能夠在整個範圍掃描過程中, 排除表面形貌結構起伏之影響, 從而獲得高信噪比資料。

以下為CHM模式掃描硬幣的部分割槽域，以此來獲得探針與樣品表面的起伏-探針尖端與樣品表面的相對距離資訊。

在熱門電催化HOR文獻中，基於CHM模式獲取相對高度資訊後獲得的SKP面掃描資料，SKP掃描過程中，始終保持探針與樣品表面的相對距離恆定不變，探針會跟隨著樣品的表面起伏而上下移動，始終保持與樣品表面恆定的距離，獲得高精度的功函資料圖。金屬催化反應速率依賴於催化劑的功函，也被稱為電化學促進多相催化(EPOC)反應。此外多晶鉑基奈米粒子的電催化行為與功函之間的反比關係*近被用於氧還原反應過程。[1]

[1] Hasannaeimi V, Mukherjee S. Noble-Metal based Metallic Glasses as Highly Catalytic Materials for Hydrogen Oxidation Reaction in Fuel Cells[J]. Scientific Reports.

更多微區測試模式助力科研

VersaScan電化學工作站包含多個測試模組，常見的有SKP/SVET/LEIS/SECM等，區別於電化學宏觀測試，微區探針技術可以直觀地獲得樣品表面微觀區域的電化學資訊，常被應用於金屬-塗層機理研究，電催化動力學過程及活性位點，生物活性材料等