電化學工作站之微區掃描技術應用

電化學熒光探針-SECM/熒光顯微鏡聯用

近日，法國巴黎薩克雷大學(Universtsité Paris-Saclay)Fabien Miomandre教授團隊，開創性的將普林斯頓VersaSCAN微區掃描電化學系統*高空間分辨SECM技術與時間分辨倒置熒光顯微鏡進行聯用， 成功的用於調控和研究溶液中四嗪衍生物的氧化還原態，及其電化學熒光變色行為。

歸一化的熒光強度差異-“開”和“關”的狀態可以由探針的電位和探針-樣品距離進行調控。首次成功展示了，冷光壽命可以被調製，並證實了發光強度的下降是由電荷的淬滅過程引起。 實驗結果顯示，電荷淬滅歸結為受激發的熒光團和電生陰離子自由基之間的電荷轉移反應 。混合的動態和靜態的淬滅機理可用於擬合熒光強度和壽命的比例對庫倫電荷的變化。靜態淬滅的相關性由密度泛函數(DFT)進行驗證。分別測試了絕緣玻璃和導電ITO上的逼近曲線，基於熒光壽命調製的光學逼近曲線，相比基於電流的單電化學訊號更靈敏。*後，數學模型也很好的驗證了這些光學的逼近曲線，證明瞭電荷淬滅過程對熒光強度和壽命變化的影響。

更多詳情請參考以下原文

Time-Resolved Fluorescence Microscopy Combined with Scanning Electrochemical Microscopy: A New Way to Visualize Photo-Induced Electron Transfer Quenching with an Electrofluorochromic Probe，

J. Phys. Chem. C，2020,124,43,2